天眼查APP显示，近日，华中科技大学,浙江正邦电子股份有限公司申请的“一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法”专利公布。 摘要显示，本申请属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法。本申请通过对p缓冲层、n缓冲层、p阴极区结构进行优化，p缓冲层与p+阳极区交替排列，由于p缓冲层掺杂明显低于PIN二极管的p+阳极掺杂，反向恢复过程中的载流子提取时间显著缩短。n缓冲区掺杂浓度低于n+阴极，有效地限制了电场的宽度并降低了阴极的注入效率，有效解决原PIN二极管在反向恢复过程中的反向恢复时间长、反向恢复电流高的问题。