投资要点　　事件：英伟达计划在新一代GPU 芯片的CoWoS 工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计2027 年导入。　　英伟达高阶GPU 均采用CoWoS 结构，后续高性能版本散热需求更高：　　英伟达GPU 芯片从H100 到B200 均采用CoWoS 封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS 通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU 芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。　　SiC 凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS 结构散热并降低封装尺寸：①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490 W/m・K，比硅高出2